專業存儲器供應商

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深圳市華胄科技有限公司座落在美麗的南方城市深圳，成立於2001年10月，注冊資金300萬元，具有自主進出口權。華胄科技成立伊始就把振興中國電子產業作為己任，通過引進世界先進國家（地區）的產品和技術，在服務現代化建設事業進程中，不斷提升自己的專業技術水平和專心服務精神。幾年來，華胄科技承擔了美國Ramtron國際公司新一代非易失性存儲器（FRAM）在中國市場的拓展和技術服務，引進了德國ZMD公司高品質存儲器和傳感技術產品，同時負責台灣華邦電子SpiFlash的銷售。優良的產品特性加上專業的技術服務使得公司產品在數字儀表、汽車電子、網絡通訊、安防統、電力係統、金融稅務、家用電器及工控行業得到了廣泛的應用；華胄網站www.huazhoucn.com內容豐富、技術專業、服務人性化，已成為行業內許多工程師每天必上之門戶；華(hua)胄(zhou)公(gong)司(si)聚(ju)集(ji)了(le)一(yi)批(pi)高(gao)端(duan)技(ji)術(shu)應(ying)用(yong)開(kai)發(fa)工(gong)程(cheng)師(shi)，具(ju)備(bei)自(zi)主(zhu)研(yan)發(fa)以(yi)及(ji)新(xin)技(ji)術(shu)方(fang)案(an)的(de)設(she)計(ji)和(he)實(shi)施(shi)的(de)能(neng)力(li)，在(zai)公(gong)司(si)高(gao)績(ji)效(xiao)的(de)管(guan)理(li)體(ti)係(xi)下(xia)，依(yi)托(tuo)誠(cheng)信(xin)經(jing)營(ying)和(he)技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)，秉(bing)承(cheng)團(tuan)結(jie)奉(feng)獻(xian)精(jing)神(shen)，竭(jie)力(li)為(wei)廣(guang)大(da)客(ke)戶(hu)創(chuang)造(zao)更(geng)大(da)的(de)價(jia)值(zhi)。
華胄科技是您值得信賴的存儲器專業服務商。

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美國RAMTRON公司高性能鐵電存儲器
IIC： FM24C04/16/64/256
SPI： FM25040/16/64/256
並口： FM1608 FM1808 FM20L08
多功能係列： FM31XX

FRAM(鐵電存儲器)既具有RAM類似的性能,又有ROM一樣的非易失性.FRAM克服以上兩種存儲器的缺陷而且合並了兩者的優點.而且可以替代傳統的EPROM、EEPROM和FLASH，等非易失性存儲器。並且消除了傳統存儲器的弊端（寫入數據是需要的時間長、擦寫次數低、功耗大）。它是非易失性存儲器的一個革命性的突破!是一種全新的非易失性存儲器！
目前FRAM已經廣泛應用於三表行業、汽車電子行業、航天航空行業、工控行業等。

德國ZMD 工業級SRAM NvSRAM 傳感器接口芯片
SRAM： 16Kbit 64Kbit 256Kbit 1Mbit
NvSRAM： 16Kbit 64Kbit 256Kbit
傳感器接口芯片： ZMD31010 ZMD31050
德國澤恩帝（ZMD）公司 www.zmd.com.cn 的SRAM產品能滿足於高要求的汽車電子工業的需求，特別滿足高溫操作要求（-40℃-125℃）。ZMD公司產品的高性能及高可靠性也廣泛應用於非汽車電子工業的產品中。

NVSRAM產品是ZMD公司的主要一款更具有創新的無需電池的非易失性存儲器產品，給非易失性存儲市場帶來了更多，更大的商機。這款NVSRAM是將SRAM和EEPROM集成在一個晶元之中，SRAM中的每一個單元都有EEPROM的單元與之相對應，在SRAM模式下，存儲器可以像普通靜態存儲器一樣操作，操作時序及讀寫速度與普通SRAM相同：在非易失性模式下，數據在SRAM與EEPROM之間以並行的方式保存或者回讀，EPROM則作為一個永久存儲單元保存非易失性數據。EEPROM可以被反複擦寫十萬次以上，掉電後數據可以保存45年以上。而且ZMD的NVSRAM可以直接替換“SRAM+後備電池”方式的非易失性存儲器或係統中的SRAM 和EEPROM。
目前ZMD的NVSRAM已經廣泛應用於工控行業，汽車電子行業，航天航空行業等高可靠性、穩定性要求的諸多行業，領域。

傳感器接口芯片是一款專門針對橋式傳感器與溫度傳感器的、具有高精度信號放大與傳感器校準功能的CMOS集成電路，該器件通過一個運行校正算法的16位RSIC處理器對傳感器的偏移、精度、溫度漂移和非線性進行數字補償。
該傳感器接口芯片已經被設計用與工業，醫療和民用消費領域，而且特別適合用於壓力、液位、流量、稱重、扭力、轉矩、加速度、角度、位移和旋轉等傳感器中，並得到廣泛的應用。

台灣華邦電子大容量串行FLASH
SPI接口： 1M-32M SOIC封裝
可直接替換AT45DB及SST25LF相應型號

華邦的Spiflash串行存儲器采用流行的串行外設接口（SPI），容量範圍為1Mbit至32Mbit，其性能及封裝能夠大幅度提升電子產品的功能，對於需要將代碼下載至內部或者外部RAM中的係統而言，SPI串行Flash存儲器比並行Flash存儲器具有更多優勢，其管腳更少，占用麵積更小，而且成本更加節省。其也適用於數據或語音存儲。Spiflash存儲器具有廣闊的應用領域。
目前已經廣泛應用於DVD/CD drives、printers、DSL modens 、wireless LANs 、network cards 、hard drives 、set top boxes 、PCs 、MP3 、GPS 、FPGAs等。

韓國高奇普超級電容（法拉電容）
DA係列： 5.5V 0.022F-0.1F
DCS係列： 5.5V 0.22F-0.47F`
DCL係列： 5.5V 1.0F-1.5F
水表專用電容： 5V&5.5V 0.5F-3F 低內阻低漏電

超級電容器（supercapacitor,ultracapacitor),又叫雙電層電容器（Electrical Double-layer Capacitor)、黃金電容、法(fa)拉(la)電(dian)容(rong)，通(tong)過(guo)極(ji)化(hua)電(dian)解(jie)質(zhi)來(lai)儲(chu)能(neng)。它(ta)是(shi)一(yi)種(zhong)電(dian)化(hua)學(xue)元(yuan)件(jian)，但(dan)在(zai)其(qi)儲(chu)能(neng)的(de)過(guo)程(cheng)中(zhong)並(bing)不(bu)發(fa)生(sheng)化(hua)學(xue)反(fan)應(ying)，這(zhe)種(zhong)儲(chu)能(neng)過(guo)程(cheng)是(shi)可(ke)逆(ni)的(de)，也(ye)正(zheng)因(yin)為(wei)此(ci)超(chao)級(ji)電(dian)容(rong)可(ke)以(yi)反(fan)複(fu)充(chong)放(fang)電(dian)數(shu)十(shi)萬(wan)次(ci)。
目前此產品已經廣泛應用於工業控製行業、三表行業、汽車電子行業、玩具行業、太陽能行業、航空航天行業等。

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