EMC問題常常是製約中國電子產品出口的一個原因

，本文主要論述EMI的來源及一些非常具體的抑製方法。
電磁兼容性(EMC)是指“一種器件、設備或係統的性能，它可以使其在自身環境下正常工作並且同時不會對此環境中任何其他設備產生強烈電磁幹擾(IEEE C63.12-1987)。”對於無線收發設備來說
，采用非連續頻譜可部分實現EMC性能
，但是很多有關的例子也表明EMC並不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測試設備之間、打印機和台式電腦之間以及蜂窩電話和醫療儀器之間等都具有高頻幹擾
，我們把這種幹擾稱為電磁幹擾(EMI)。
EMC問題來源
所(suo)有(you)電(dian)器(qi)和(he)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)工(gong)作(zuo)時(shi)都(dou)會(hui)有(you)間(jian)歇(xie)或(huo)連(lian)續(xu)性(xing)電(dian)壓(ya)電(dian)流(liu)變(bian)化(hua)

，有(you)時(shi)變(bian)化(hua)速(su)率(lv)還(hai)相(xiang)當(dang)快(kuai)，這(zhe)樣(yang)會(hui)導(dao)致(zhi)在(zai)不(bu)同(tong)頻(pin)率(lv)內(nei)或(huo)一(yi)個(ge)頻(pin)帶(dai)間(jian)產(chan)生(sheng)電(dian)磁(ci)能(neng)量(liang)，而(er)相(xiang)應(ying)的(de)電(dian)路(lu)則(ze)會(hui)將(jiang)這(zhe)種(zhong)能(neng)量(liang)發(fa)射(she)到(dao)周(zhou)圍(wei)的(de)環(huan)境(jing)中(zhong)。
EMI有兩條途徑離開或進入一個電路：輻射和傳導。信號輻射是通過外殼的縫
、槽
、開孔或其他缺口泄漏出去；而信號傳導則通過耦合到電源
、信號和控製線上離開外殼，在開放的空間中自由輻射
，從而產生幹擾。
很多EMI抑製都采用外殼屏蔽和縫隙屏蔽結合的方式來實現，大多數時候下麵這些簡單原則可以有助於實現EMI屏蔽：從源頭處降低幹擾
；通過屏蔽、過濾或接地將幹擾產生電路隔離以及增強敏感電路的抗幹擾能力等。EMI抑製性、隔離性和低敏感性應該作為所有電路設計人員的目標，這些性能在設計階段的早期就應完成。
對設計工程師而言，采用屏蔽材料是一種有效降低EMI的方法。如今已有多種外殼屏蔽材料得到廣泛使用，從金屬罐、薄金屬片和箔帶到在導電織物或卷帶上噴射塗層及鍍層(如導電漆及鋅線噴塗等)。無論是金屬還是塗有導電層的塑料

，一旦設計人員確定作為外殼材料之後，就可著手開始選擇襯墊。
金屬屏蔽效率
可用屏蔽效率(SE)對屏蔽罩的適用性進行評估，其單位是分貝，計算公式為
SEdB=A+R+B
其中 A：吸收損耗(dB) R：反射損耗(dB) B：校正因子(dB)(適用於薄屏蔽罩內存在多個反射的情況)
一個簡單的屏蔽罩會使所產生的電磁場強度降至最初的十分之一，即SE等於20dB；而有些場合可能會要求將場強降至為最初的十萬分之一，即SE要等於100dB。
吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時能量損耗的數量，吸收損耗計算式為
AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t
其中 f：頻率(MHz) μ：銅的導磁率 σ：銅的導電率 t：屏蔽罩厚度
反射損耗(近場)dedaxiaoqujueyudiancibochanshengyuandexingzhiyijiyuboyuandejuli。duiyuganzhuanghuozhixianxingfashetianxianeryan，liboyuanyuejinbozuyuegao，ranhousuizheyuboyuanjulidezengjiaerxiajiang，danpingmianbozuzewubianhua(恒為377)。
相xiang反fan，如ru果guo波bo源yuan是shi一yi個ge小xiao型xing線xian圈quan
，則ze此ci時shi將jiang以yi磁ci場chang為wei主zhu
，離li波bo源yuan越yue近jin波bo阻zu越yue低di。波bo阻zu隨sui著zhe與yu波bo源yuan距ju離li的de增zeng加jia而er增zeng加jia，但dan當dang距ju離li超chao過guo波bo長chang的de六liu分fen之zhi一yi時shi，波bo阻zu不bu再zai變bian化hua，恒heng定ding在zai377處。
反(fan)射(she)損(sun)耗(hao)隨(sui)波(bo)阻(zu)與(yu)屏(ping)蔽(bi)阻(zu)抗(kang)的(de)比(bi)率(lv)變(bian)化(hua)
，因(yin)此(ci)它(ta)不(bu)僅(jin)取(qu)決(jue)於(yu)波(bo)的(de)類(lei)型(xing)
，而(er)且(qie)取(qu)決(jue)於(yu)屏(ping)蔽(bi)罩(zhao)與(yu)波(bo)源(yuan)之(zhi)間(jian)的(de)距(ju)離(li)。這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)適(shi)用(yong)於(yu)小(xiao)型(xing)帶(dai)屏(ping)蔽(bi)的(de)設(she)備(bei)。
近場反射損耗可按下式計算
R(電)dB=321.8-(20×lg r)-(30×lg f)-[10×lg(μ/σ)] R(磁)dB=14.6+(20×lg r)+(10×lg f)+[10×lg(μ/σ)]
其中 r：波源與屏蔽之間的距離。
SE算式最後一項是校正因子B，其計算公式為
B=20lg[-exp(-2t/σ)]
此式僅適用於近磁場環境並且吸收損耗小於10dBdeqingkuang。youyupingbiwuxishouxiaolvbugao，qineibudezaifanshehuishichuanguopingbicenglingyimiandenengliangzengjia，suoyixiaozhengyinzishigefushu
，biaoshipingbixiaolvdexiajiangqingkuang。
EMI抑製策略
隻(zhi)有(you)如(ru)金(jin)屬(shu)和(he)鐵(tie)之(zhi)類(lei)導(dao)磁(ci)率(lv)高(gao)的(de)材(cai)料(liao)才(cai)能(neng)在(zai)極(ji)低(di)頻(pin)率(lv)下(xia)達(da)到(dao)較(jiao)高(gao)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)率(lv)。這(zhe)些(xie)材(cai)料(liao)的(de)導(dao)磁(ci)率(lv)會(hui)隨(sui)著(zhe)頻(pin)率(lv)增(zeng)加(jia)而(er)降(jiang)低(di)，另(ling)外(wai)如(ru)果(guo)初(chu)始(shi)磁(ci)場(chang)較(jiao)強(qiang)也(ye)會(hui)使(shi)導(dao)磁(ci)率(lv)降(jiang)低(di)
，還(hai)有(you)就(jiu)是(shi)采(cai)用(yong)機(ji)械(xie)方(fang)法(fa)將(jiang)屏(ping)蔽(bi)罩(zhao)作(zuo)成(cheng)規(gui)定(ding)形(xing)狀(zhuang)同(tong)樣(yang)會(hui)降(jiang)低(di)導(dao)磁(ci)率(lv)。綜(zong)上(shang)所(suo)述(shu)
，選(xuan)擇(ze)用(yong)於(yu)屏(ping)蔽(bi)的(de)高(gao)導(dao)磁(ci)性(xing)材(cai)料(liao)非(fei)常(chang)複(fu)雜(za)，通(tong)常(chang)要(yao)向(xiang)EMI屏蔽材料供應商以及有關谘詢機構尋求解決方案。
在zai高gao頻pin電dian場chang下xia，采cai用yong薄bo層ceng金jin屬shu作zuo為wei外wai殼ke或huo內nei襯chen材cai料liao可ke達da到dao良liang好hao的de屏ping蔽bi效xiao果guo，但dan條tiao件jian是shi屏ping蔽bi必bi須xu連lian續xu，並bing將jiang敏min感gan部bu分fen完wan全quan遮zhe蓋gai住zhu，沒mei有you缺que口kou或huo縫feng隙xi(形成一個法拉第籠)。然ran而er在zai實shi際ji中zhong要yao製zhi造zao一yi個ge無wu接jie縫feng及ji缺que口kou的de屏ping蔽bi罩zhao是shi不bu可ke能neng的de
，由you於yu屏ping蔽bi罩zhao要yao分fen成cheng多duo個ge部bu分fen進jin行xing製zhi作zuo，因yin此ci就jiu會hui有you縫feng隙xi需xu要yao接jie合he
，另ling外wai通tong常chang還hai得de在zai屏ping蔽bi罩zhao上shang打da孔kong以yi便bian安an裝zhuang與yu插cha卡ka或huo裝zhuang配pei組zu件jian的de連lian線xian。
設計屏蔽罩的困難在於製造過程中不可避免會產生孔隙
，而且設備運行過程中還會需要用到這些孔隙。製造、麵板連線、通風口、外wai部bu監jian測ce窗chuang口kou以yi及ji麵mian板ban安an裝zhuang組zu件jian等deng都dou需xu要yao在zai屏ping蔽bi罩zhao上shang打da孔kong
，從cong而er大da大da降jiang低di了le屏ping蔽bi性xing能neng。盡jin管guan溝gou槽cao和he縫feng隙xi不bu可ke避bi免mian，但dan在zai屏ping蔽bi設she計ji中zhong對dui與yu電dian路lu工gong作zuo頻pin率lv波bo長chang有you關guan的de溝gou槽cao長chang度du作zuo仔zai細xi考kao慮lv是shi很hen有you好hao處chu的de。
任一頻率電磁波的波長為: 波長(λ)=光速(C)/頻率(Hz)
當縫隙長度為波長(截止頻率)的一半時,RF波開始以20dB/10倍頻(1/10截止頻率)或6dB/8倍頻(1/2截止頻率)的速率衰減。通常RF發(fa)射(she)頻(pin)率(lv)越(yue)高(gao)衰(shuai)減(jian)越(yue)嚴(yan)重(zhong)
，因(yin)為(wei)它(ta)的(de)波(bo)長(chang)越(yue)短(duan)。當(dang)涉(she)及(ji)到(dao)最(zui)高(gao)頻(pin)率(lv)時(shi)
，必(bi)須(xu)要(yao)考(kao)慮(lv)可(ke)能(neng)會(hui)出(chu)現(xian)的(de)任(ren)何(he)諧(xie)波(bo)，不(bu)過(guo)實(shi)際(ji)上(shang)隻(zhi)需(xu)考(kao)慮(lv)一(yi)次(ci)及(ji)二(er)次(ci)諧(xie)波(bo)即(ji)可(ke)。
一旦知道了屏蔽罩內RF輻射的頻率及強度，就可計算出屏蔽罩的最大允許縫隙和溝槽。例如如果需要對1GHz(波長為300mm)的輻射衰減26dB,則150mm的縫隙將會開始產生衰減，因此當存在小於150mm的縫隙時，1GHz輻射就會被衰減。所以對1GHz頻率來講
，若需要衰減20dB，則縫隙應小於15 mm(150mm的1/10)，需要衰減26dB時，縫隙應小於7.5 mm(15mm的1/2以上)

，需要衰減32dB時，縫隙應小於3.75 mm(7.5mm的1/2以上)。
可采用合適的導電襯墊使縫隙大小限定在規定尺寸內
，從而實現這種衰減效果。
屏蔽設計難點
由you於yu接jie縫feng會hui導dao致zhi屏ping蔽bi罩zhao導dao通tong率lv下xia降jiang
，因yin此ci屏ping蔽bi效xiao率lv也ye會hui降jiang低di。要yao注zhu意yi低di於yu截jie止zhi頻pin率lv的de輻fu射she其qi衰shuai減jian隻zhi取qu決jue於yu縫feng隙xi的de長chang度du直zhi徑jing比bi，例li如ru長chang度du直zhi徑jing比bi為wei3時可獲得100dB的衰減。在需要穿孔時，可利用厚屏蔽罩上麵小孔的波導特性
；另ling一yi種zhong實shi現xian較jiao高gao長chang度du直zhi徑jing比bi的de方fang法fa是shi附fu加jia一yi個ge小xiao型xing金jin屬shu屏ping蔽bi物wu，如ru一yi個ge大da小xiao合he適shi的de襯chen墊dian。上shang述shu原yuan理li及ji其qi在zai多duo縫feng情qing況kuang下xia的de推tui廣guang構gou成cheng多duo孔kong屏ping蔽bi罩zhao設she計ji基ji礎chu。
多孔薄型屏蔽層：多孔的例子很多，比如薄金屬片上的通風孔等等，當各孔間距較近時設計上必須要仔細考慮。下麵是此類情況下屏蔽效率計算公式
SE=[20lg (fc/o/σ)]-10lg n 其中 fc/o：截止頻率 n：孔洞數目
注意此公式僅適用於孔間距小於孔直徑的情況，也可用於計算金屬編織網的相關屏蔽效率。
接縫和接點：電焊

、銅(tong)焊(han)或(huo)錫(xi)焊(han)是(shi)薄(bo)片(pian)之(zhi)間(jian)進(jin)行(xing)永(yong)久(jiu)性(xing)固(gu)定(ding)的(de)常(chang)用(yong)方(fang)式(shi)，接(jie)合(he)部(bu)位(wei)金(jin)屬(shu)表(biao)麵(mian)必(bi)須(xu)清(qing)理(li)幹(gan)淨(jing)
，以(yi)使(shi)接(jie)合(he)處(chu)能(neng)完(wan)全(quan)用(yong)導(dao)電(dian)的(de)金(jin)屬(shu)填(tian)滿(man)。不(bu)建(jian)議(yi)用(yong)螺(luo)釘(ding)或(huo)鉚(mao)釘(ding)進(jin)行(xing)固(gu)定(ding)
，因(yin)為(wei)緊(jin)固(gu)件(jian)之(zhi)間(jian)接(jie)合(he)處(chu)的(de)低(di)阻(zu)接(jie)觸(chu)狀(zhuang)態(tai)不(bu)容(rong)易(yi)長(chang)久(jiu)保(bao)持(chi)。
導電襯墊的作用是減少接縫或接合處的槽、孔或縫隙，使RF輻射不會散發出去。EMI襯墊是一種導電介質，用於填補屏蔽罩內的空隙並提供連續低阻抗接點。通常EMI襯墊可在兩個導體之間提供一種靈活的連接，使一個導體上的電流傳至另一導體。
封孔EMI襯墊的選用可參照以下性能參數： •特定頻率範圍的屏蔽效率 •安裝方法和密封強度 •與外罩電流兼容性以及對外部環境的抗腐蝕能力。 •工作溫度範圍 •成本
大多數商用襯墊都具有足夠的屏蔽性能以使設備滿足EMC標準
，關鍵是在屏蔽罩內正確地對墊片進行設計。
墊片係統：一yi個ge需xu要yao考kao慮lv的de重zhong要yao因yin素su是shi壓ya縮suo
，壓ya縮suo能neng在zai襯chen墊dian和he墊dian片pian之zhi間jian產chan生sheng較jiao高gao導dao電dian率lv。襯chen墊dian和he墊dian片pian之zhi間jian導dao電dian性xing太tai差cha會hui降jiang低di屏ping蔽bi效xiao率lv
，另ling外wai接jie合he處chu如ru果guo少shao了le一yi塊kuai則ze會hui出chu現xian細xi縫feng而er形xing成cheng槽cao狀zhuang天tian線xian，其qi輻fu射she波bo長chang比bi縫feng隙xi長chang度du小xiao約yue4倍。
確保導通性首先要保證墊片表麵平滑
、幹淨並經過必要處理以具有良好導電性，這些表麵在接合之前必須先遮住；另外屏蔽襯墊材料對這種墊片具有持續良好的粘合性也非常重要。導電襯墊的可壓縮特性可以彌補墊片的任何不規則情況。
suoyouchendiandouyouyigeyouxiaogongzuozuixiaojiechudianzu，shejirenyuankeyijiadaduichendiandeyasuoliduyijiangdiduogechendiandejiechudianzu
，dangranzhejiangzengjiamifengqiangdu
，huishipingbizhaobiandegengweiwanqu。daduoshuchendianzaiyasuodaoyuanlaihoudude30%至70%時效果比較好。因此在建議的最小接觸麵範圍內

，兩個相向凹點之間的壓力應足以確保襯墊和墊片之間具有良好的導電性。
lingyifangmian，duichendiandeyalibuyingdadaoshichendianchuyufeizhengchangyasuozhuangtai，yinweicishihuidaozhichendianjiechushixiao，bingkenengchanshengdiancixielou。yudianpianfenlideyaoqiuduiyujiangchendianyasuokongzhizaizhizaoshangjianyifanweifeichangzhongyao
，zhezhongshejixuyaoquebaodianpianjuyouzugoudeyingdu，yimianzaidianpianjingujianzhijianchanshengjiaodawanqu。zaimouxieqingkuangxia，kenengxuyaolingwaiyixiejingujianyifangzhiwaikejiegouwanqu。
壓(ya)縮(suo)性(xing)也(ye)是(shi)轉(zhuan)動(dong)接(jie)合(he)處(chu)的(de)一(yi)個(ge)重(zhong)要(yao)特(te)性(xing)，如(ru)在(zai)門(men)或(huo)插(cha)板(ban)等(deng)位(wei)置(zhi)。若(ruo)襯(chen)墊(dian)易(yi)於(yu)壓(ya)縮(suo)

，那(na)麼(me)屏(ping)蔽(bi)性(xing)能(neng)會(hui)隨(sui)著(zhe)門(men)的(de)每(mei)次(ci)轉(zhuan)動(dong)而(er)下(xia)降(jiang)

，此(ci)時(shi)襯(chen)墊(dian)需(xu)要(yao)更(geng)高(gao)的(de)壓(ya)縮(suo)力(li)才(cai)能(neng)達(da)到(dao)與(yu)新(xin)襯(chen)墊(dian)相(xiang)同(tong)的(de)屏(ping)蔽(bi)性(xing)能(neng)。在(zai)大(da)多(duo)數(shu)情(qing)況(kuang)下(xia)這(zhe)不(bu)太(tai)可(ke)能(neng)做(zuo)得(de)到(dao)，因(yin)此(ci)需(xu)要(yao)一(yi)個(ge)長(chang)期(qi)EMI解決方案。
如果屏蔽罩或墊片由塗有導電層的塑料製成，則添加一個EMIchendianbuhuichanshengtaiduowenti，danshishejirenyuanbixukaolvhenduochendianzaidaodianbiaomianshangdouhuiyoumosun，tongchangjinshuchendiandeducengbiaomiangengyimosun。suizheshijianzengchangzhezhongmosunhuijiangdichendianjiehechudepingbixiaolv，binggeihoumiandezhizaoshangdailaimafan。
如(ru)果(guo)屏(ping)蔽(bi)罩(zhao)或(huo)墊(dian)片(pian)結(jie)構(gou)是(shi)金(jin)屬(shu)的(de)，那(na)麼(me)在(zai)噴(pen)塗(tu)拋(pao)光(guang)材(cai)料(liao)之(zhi)前(qian)可(ke)加(jia)一(yi)個(ge)襯(chen)墊(dian)把(ba)墊(dian)片(pian)表(biao)麵(mian)包(bao)住(zhu)，隻(zhi)需(xu)用(yong)導(dao)電(dian)膜(mo)和(he)卷(juan)帶(dai)即(ji)可(ke)。若(ruo)在(zai)接(jie)合(he)墊(dian)片(pian)的(de)兩(liang)邊(bian)都(dou)使(shi)用(yong)卷(juan)帶(dai)
，則(ze)可(ke)用(yong)機(ji)械(xie)固(gu)件(jian)對(dui)EMI襯墊進行緊固，例如帶有塑料鉚釘或壓敏粘結劑(PSA)的“C型”襯墊。襯墊安裝在墊片的一邊

，以完成對EMI的屏蔽。
襯墊及附件
目前可用的屏蔽和襯墊產品非常多，包括鈹-銅接頭
、金屬網線(帶彈性內芯或不帶)
、嵌入橡膠中的金屬網和定向線、導電橡膠以及具有金屬鍍層的聚氨酯泡沫襯墊等。大多數屏蔽材料製造商都可提供各種襯墊能達到的SE估計值，但要記住SE是個相對數值
，還取決於孔隙、襯墊尺寸
、襯墊壓縮比以及材料成分等。襯墊有多種形狀，可用於各種特定應用，包括有磨損
、滑動以及帶鉸鏈的場合。目前許多襯墊帶有粘膠或在襯墊上麵就有固定裝置
，如擠壓插入、管腳插入或倒鉤裝置等。
各類襯墊中，塗層泡沫襯墊是最新也是市麵上用途最廣的產品之一。這類襯墊可做成多種形狀
，厚度大於0.5mm，也可減少厚度以滿足UL燃燒及環境密封標準。還有另一種新型襯墊即環境/EMI混合襯墊，有了它就可以無需再使用單獨的密封材料，從而降低屏蔽罩成本和複雜程度。這些襯墊的外部覆層對紫外線穩定

，可防潮
、防風
、防清洗溶劑，內部塗層則進行金屬化處理並具有較高導電性。最近的另外一項革新是在EMI襯墊上裝了一個塑料夾，同傳統壓製型金屬襯墊相比，它的重量較輕
，裝配時間短，而且成本更低，因此更具市場吸引力。
結論
設she備bei一yi般ban都dou需xu要yao進jin行xing屏ping蔽bi，這zhe是shi因yin為wei結jie構gou本ben身shen存cun在zai一yi些xie槽cao和he縫feng隙xi。所suo需xu屏ping蔽bi可ke通tong過guo一yi些xie基ji本ben原yuan則ze確que定ding，但dan是shi理li論lun與yu現xian實shi之zhi間jian還hai是shi有you差cha別bie。例li如ru在zai計ji算suan某mou個ge頻pin率lv下xia襯chen墊dian的de大da小xiao和he間jian距ju時shi還hai必bi須xu考kao慮lv信xin號hao的de強qiang度du，如ru同tong在zai一yi個ge設she備bei中zhong使shi用yong了le多duo個ge處chu理li器qi時shi的de情qing形xing。表biao麵mian處chu理li及ji墊dian片pian設she計ji是shi保bao持chi長chang期qi屏ping蔽bi以yi實shi現xianEMC性能的關鍵因素。