思銳智能攜業界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術亮相SEMICON China 2024
，持續建設全球一流的高端半導體製造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領域。

展會現場精彩瞬間

思銳智能離子注入機（IMP）模型

根據SEMI的數據，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導體設備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%
，而中國大陸地區半導體設備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節點技術表現出了強勁的需求和消費能力。

縱觀全局

，離子注入已成為半導體器件製備中最主要的摻雜方法，是最基礎的製備工藝之一。2000-2023年中國大陸IC晶圓製造產能從占據全球2%增長到20%，未來中國產能持續迎接快速增長期


，年均增長預計超10%。新一代集成電路製造技術創新持續推進，國產化離子注入機的市場應用前景正在快速展開
，這也是思銳智能重點投資布局的賽道。

集成電路製造正盛
，IMP國產化大有可為

在同期的IC製造產業鏈國際論壇上
，思銳智能副總經理陳祥龍表示：“lizizhurushebeizhengzaifunengxinyidailuoji

，cunchu，tuxiangchuanganqi
，gonglvbandaotidengremenyingyonglingyujunkeliyonglizizhurujiyitishengqijianxingnenghuochanneng。xinxingyingyongtuidonglelizizhurujishuchuangxin，yixiaofeishichangweili，zhinengshoujiduiyuxiangjixiangsudeyaoqiuyuelaiyuegao，tuxiangchuanganqi（CIS）需要製備更高深寬比的深層光電二極管。此時，離子注入的能量將達到8MeV、最高甚至超過10MeV，高能離子注入機成為不可替代的選擇。同時，先進製程的發展也進一步推動了低能大束流機的應用。思銳智能布局了“高能離子注入機 + 大束流離子注入機”的係列產品組合，以應對更多應用挑戰。”

自2021年以來
，思銳智能組建核心技術團隊


，開啟離子注入設備研發攻關
，2023年首台高能離子注入機取得技術突破並獲得國內頭部客戶訂單，同步持續完善業務布局。思銳智能高能離子注入機具備射頻傳輸效率高、能量分辨率高的優勢
，其關鍵特性包括射頻段傳輸效率達到30%-50%的水平；能量分辨率高達±1%，小於業內的±2.5%水平等，在關鍵設備國產化方麵實現了技術領先。

進入2024年，AI及其驅動的新智能應用、AI PC和AI手機
、新能源汽車及工業應用等產業麵臨新的機遇和挑戰。集成電路是AIjishufazhandehexin
，erzhuangbeizeshijichengdianluxinpianjishuchuangxindejishi。siruizhinengyuanyuhezuohuobanxieshou，funengbandaotichanyeliangaozhiliangfazhan，tuidongxingyejishudechuangxinyujinbu。