編者語：woguodianlidianzixingyejishushuipingyuguojishuipingxiangbicunzaijiaodachaju，shangweimanzujiansheziyuanjieyuexinghehuanjingyouhaoxingshehuidepoqiexuqiu。youqishiguanjianjishushouzhiyuren，yichengweiyingxiangxingyechixufazhandepingjing。

　　jinnianlai，woguodianlidianziqijianchanyejishushuipingbuduantigao，yingyonglingyuriyiguangfan，yizhujianchengweiguominjingjifazhanzhongjichuxingdezhizhuchanyezhiyi。suizhedianlidianziqijianchanyeriyishoudaoguojiadezhongshi
，guojiaduiqishengchanqiyehekeyanjigoudefuchiliduyezaizhubujiada。raner，zaikeyanhechanyehuabuduanqudetupodetongshi，quanxingyerengmianlinzhuduokunnan，youqishiguanjianjishushouzhiyuren，yanzhongyingxiangxingyechixufazhan。

　　得到政策扶持

　　電力電子器件產業直接關係到變流技術的發展與進步
，其技術水平成為建設節約型社會和創新型國家的關鍵因素。

　　隨著我國特高壓直流輸電
、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等領域技術發展和市場需求的增加
，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的需求非常緊迫，而且需求量也非常大。預計國內每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT
、IGBT的總量將達到50萬隻以上。然而目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。

　　以IGBT為例
，全球IGBT主要供應商集中在英飛淩、三菱、ABB、富士等少數幾家公司。目前，我國隻有少數小功率IGBT的封裝線，還不具備研發、製造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此，在技術上長期受製於人，這對國民經濟的健康發展與國家安全極其不利。

　　為貫徹落實“十一五”高技術產業發展規劃和信息產業發展規劃，全麵落實科學發展觀
，推進節能降耗，促進電力電子技術和產業的發展，根據國家發改委《關於組織實施新型電力電子器件產業化專項有關問題的通知》
，我國將實施電力電子器件產業專項政策，提高新型電力電子器件技術和工藝水平。

　　其主要內容包括：促進產業發展，滿足市場需求，以技術進步和產業升級推進節能降耗；推動產、學
、研
、用相結合，突破核心基礎器件發展的關鍵技術，完善電力電子產業鏈，促進具有自主知識產權的芯片和技術的推廣應用；培育骨幹企業
，增強企業自主創新能力。

　　其主要支持的重點領域有：在芯片產業化方麵
，主要支持IGBT
、金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）、快恢複二極管（FRD）

、功率集成電路（PIC）
、IGCT等產品的芯片設計、製造、封裝測試和模塊組裝。

　　在模塊產業化方麵，主要支持電力電子器件係統集成模塊，智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）。

　　在應用裝置產業化方麵
，重點圍繞電機節能、照明節能、交通
、電力、冶金等領域需求
，支持應用具有自主知識產權芯片和技術的電力電子裝置。

　　仍需突破創新

　　在(zai)產(chan)業(ye)政(zheng)策(ce)支(zhi)持(chi)和(he)國(guo)民(min)經(jing)濟(ji)發(fa)展(zhan)的(de)推(tui)動(dong)作(zuo)用(yong)下(xia)，我(wo)國(guo)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)產(chan)業(ye)化(hua)水(shui)平(ping)近(jin)年(nian)來(lai)有(you)很(hen)大(da)提(ti)高(gao)。通(tong)過(guo)技(ji)術(shu)上(shang)的(de)不(bu)斷(duan)探(tan)索(suo)與(yu)追(zhui)求(qiu)，使(shi)其(qi)技(ji)術(shu)水(shui)平(ping)逐(zhu)步(bu)與(yu)國(guo)際(ji)水(shui)平(ping)接(jie)近(jin)
，尤(you)其(qi)是(shi)在(zai)一(yi)些(xie)高(gao)端(duan)市(shi)場(chang)領(ling)域(yu)已(yi)經(jing)占(zhan)有(you)一(yi)席(xi)之(zhi)地(di)。例(li)如(ru)西(xi)安(an)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)技(ji)術(shu)研(yan)究(jiu)所(suo)通(tong)過(guo)引(yin)進(jin)消(xiao)化(hua)技(ji)術(shu)，產(chan)品(pin)已(yi)經(jing)在(zai)高(gao)壓(ya)直(zhi)流(liu)輸(shu)電(dian)等(deng)高(gao)端(duan)領(ling)域(yu)批(pi)量(liang)應(ying)用(yong)。

　　zhideguanzhudeshi

，suiranwoguodianlidianzijishushuipingzaibuduantigao，danguoneiqiyeyuguojidagongsixiangbihaicunzaizhejiaodadechaju，shangbunengmanzuguominjingjifazhanduidianlidianzijishujinbudeyaoqiu，yebunengmanzujiansheziyuanjieyuexinghehuanjingyouhaoxingshehuidepoqiexuyao。jucifenxi
，woguodianlidianzixingyezhuishangguojishuipingrengranrenzhongerdaoyuan。

　　目前，在新型電力電子器件的開發上
，需要探索更加積極有效的模式。在國際上，IGBT作為一種主流器件，已經發展到了商業化的第五代，而我國隻有少數企業從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成產業規模。我國在IGBT芯片的產業化以及大功率IGBT的封裝領域
，技術更是一片空白。因此
，探索更加積極、有效的模式
，促成電力電子器件企業和微電子器件企業的技術融合
、取長補短，實現IGBT的產業化，才能盡快填補我國基礎工業中先進電力電子器件的空白
，改變技術上受製於人的局麵。

　　tongshi，zaigaoduanchuantongxingqijiandeguochanhuafangmian，haixuyaojinyibujiakuaijincheng。chuantongxingdedianlidianziqijianzhuyaozhijingzhaguan，qizaixuduoguanjianlingyurengjuyoubuketidaidezuoyong，youqishisuizhebianliuzhuangzhirongliangdebuduanjiada，duigaoyadadianliudegaoduanchuantongxingqijiandengchanpindexuqiujuda
，erwoguojinyoushaoshujijiayoushiqiyetongguozizhuchuangxinzhangwolegaoduanqijiandezhizaojishu，dabufenqiyehaitingliuzaizhongdiduanqijiandezhizaoshang。

　　從cong行xing業ye總zong體ti看kan
，在zai電dian力li電dian子zi器qi件jian新xin工gong藝yi的de研yan究jiu方fang麵mian還hai需xu加jia大da研yan發fa力li度du。一yi代dai工gong藝yi影ying響xiang一yi代dai產chan品pin，電dian力li電dian子zi工gong藝yi技ji術shu精jing密mi複fu雜za
，而er國guo內nei生sheng產chan企qi業ye在zai低di溫wen鍵jian合he、離子注入、類金金剛石膜等新型的關鍵工藝技術上還缺乏係統的創新能力
，必須加速其研發進程。

　　與yu此ci同tong時shi，在zai產chan業ye化hua能neng力li建jian設she方fang麵mian還hai需xu要yao上shang新xin台tai階jie。大da力li提ti升sheng電dian力li電dian子zi產chan業ye化hua能neng力li，將jiang有you利li於yu打da造zao現xian代dai化hua和he完wan整zheng的de裝zhuang備bei製zhi造zao業ye產chan業ye鏈lian，從cong而er使shi電dian力li電dian子zi行xing業ye在zai建jian設she創chuang新xin型xing、節能環保型的和諧社會中發揮更大的作用。