意法半導體（STMicroelectronics）與英特爾合資公司
、從事非易失性內存的瑞士Numonyx B.V.公司，於2008年7月31日介紹了該公司的業務戰略。該公司總裁兼首席執行官Brian L.Harrison表示：“在打入亞洲嵌入內存市場的過程中，日本將扮演重要的角色”，表明了該公司致力於開發日本市場的方針。 
　　Numonyx瞄準的非易失性內存市場主要為手機用與家電
、汽qi車che用yong等deng兩liang種zhong嵌qian入ru產chan品pin。其qi中zhong，該gai公gong司si在zai手shou機ji用yong非fei易yi失shi性xing內nei存cun市shi場chang上shang份fen額e居ju首shou

，但dan在zai嵌qian入ru領ling域yu僅jin居ju第di二er位wei。因yin此ci
，除chu手shou機ji市shi場chang外wai，今jin後hou該gai公gong司si還hai準zhun備bei加jia大da對dui嵌qian入ru產chan品pin市shi場chang的de投tou入ru。另ling外wai

，2007年在非易失性內存市場上
，該公司在韓國三星電子

、東芝之後，列第3位。 
　　嵌入產品用非易失性內存的全球市場，NOR閃存為37億美元，NAND閃存為21億美元。2008年的NOR閃存市場分地區看
，亞洲占一半以上
，日本僅占不到20％。然而日本是家電、汽車等嵌入領域的技術領頭羊
，對於亞洲的產品設計有巨大的影響力，所以“日本市場是亞洲的大門 ”（Harrison）。因此，Numonyx在日本設立了麵向嵌入產品的業務單元，並在不斷增加人員。 
　　今後

，該公司將把多值65nm工藝NOR閃存“StrataFlash”作為嵌入用產品的主力。一方麵，將麵向手機用途投放支持節能DRAM接口“LP DDR”的NOR閃存“Velocity LP”。統一閃存與DRAM的接口
，降低係統成本。而且，這一隱含著統一更換閃存和DRAM的可能性的架構
，向相變內存（PCM）過渡也比較有利。 
　　關於相變內存
，該公司已於2008年2月
，向部分特定用戶供應了利用90nm工藝製造的128Mbit相變內存樣品。計劃2009年轉入量產。並且，該公司今後將考慮以相變內存替代NOR閃存
、E2PROM、NAND閃存和DRAM的業務。但是
，正如過去E2PROM沒(mei)有(you)在(zai)閃(shan)存(cun)問(wen)世(shi)時(shi)消(xiao)失(shi)一(yi)樣(yang)
，該(gai)公(gong)司(si)認(ren)為(wei)相(xiang)變(bian)內(nei)存(cun)與(yu)其(qi)他(ta)內(nei)存(cun)也(ye)將(jiang)維(wei)持(chi)共(gong)存(cun)。希(xi)望(wang)利(li)用(yong)相(xiang)變(bian)內(nei)存(cun)可(ke)高(gao)速(su)讀(du)寫(xie)及(ji)以(yi)比(bi)特(te)為(wei)單(dan)位(wei)改(gai)寫(xie)數(shu)據(ju)等(deng)特(te)點(dian)

，開(kai)拓(tuo)出(chu)新(xin)用(yong)途(tu)。 
　　除內部工廠外，Numonyx還與母公司工廠簽訂了供貨合同。該公司支持200mm晶圓的工廠有以色列的“Fab1”和新加坡的 “Fab2”。而支持300mm晶圓的工廠，該公司與韓國海力士半導體（Hynix Semiconductor）在無錫開設了合資工廠
，並計劃在意大利卡塔尼亞開設“Fab3”。今後，將把生產從母公司工廠逐步向自有工廠轉移
，加快微細化進程。 
　　另外，該公司已與爾必達內存就NOR閃存生產外包達成了基本協議。爾必達將從2009年底開始製造65nm工藝NOR閃存
，並逐步向45nm工藝過渡。對於45nm工藝NOR閃存，不同於大多數LSI廠商采用的液浸 ArF光刻，爾必達將使用低成本的幹法光刻。Numonyx表示

，選擇爾必達內存作為合作夥伴的原因是爾必達的代工戰略與該公司的思路一致，並且擁有以幹法光刻為代表的高超技術能力。