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Vishay 推出業界最小占位麵積的新型 20V P 通道TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay 的 Si8445DB 再次將器件最小的占位空間和最佳的性能進行了的完美結合

http://kadhoai.com.cn 2026-04-26 23:49:38 來源：Vishay Intertechnology, Inc

賓夕法尼亞、MALVERN— 2008 年 6 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業界最小占位麵積以及 1.2 V 時業界最低的導通電阻。

隨(sui)著(zhe)便(bian)攜(xie)式(shi)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)的(de)體(ti)積(ji)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)以(yi)及(ji)它(ta)們(men)功(gong)能(neng)的(de)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)，電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)電(dian)路(lu)的(de)可(ke)用(yong)板(ban)麵(mian)空(kong)間(jian)會(hui)極(ji)大(da)減(jian)少(shao)。為(wei)實(shi)現(xian)消(xiao)費(fei)者(zhe)對(dui)用(yong)電(dian)池(chi)做(zuo)電(dian)源(yuan)的(de)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)的(de)更(geng)長(chang)運(yun)行(xing)時(shi)間(jian)的(de)期(qi)望(wang)，設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)需(xu)要(yao)具(ju)有(you)低(di)功(gong)耗(hao)的(de)更(geng)小(xiao) MOSFET 封裝---這恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB 所具有的特點。

憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位麵積，Si8445DB 比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB 具有 1.2V VGS 時 0.495Ω～4.5V VGS 時 0.084 Ω的低導通電阻範圍。1.2 V 時的低導通電阻額定值降低了對電平位移電路的需求，從而節約了便攜式電子設計中的空間及功率。

該新器件的典型應用將包括手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的低閾值負載開關、充電器開關及電池管理。

目前，該新型 MICRO FOOT 芯片級功率 MOSFET 的樣品與量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大製造商之一，這些元件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業界領先者。

有關 Vishay 的詳細信息，可以訪問 Internet 網站 http://www.vishay.com。

聯係人：

VISHAY

王真（Jenny Wang）

上海市淮海西路55號申通信息廣場15樓D座

（8621）52585000-6052

（8621）52587979

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