華盛頓3月19日電 美國國家標準和技術研究院（NIST）研yan究jiu人ren員yuan日ri前qian表biao示shi
，他ta們men成cheng功gong地di尋xun找zhao到dao了le將jiang由you半ban導dao體ti材cai料liao組zu成cheng的de微wei電dian子zi電dian路lu與yu以yi複fu合he有you機ji分fen子zi材cai料liao組zu成cheng的de器qi件jian相xiang連lian接jie的de途tu徑jing。在zai新xin出chu版ban的de美mei國guo化hua學xue學xue會hui雜za誌zhi上shang，研yan究jiu人ren員yuan撰zhuan文wen說shuo

，他ta們men將jiang有you機ji分fen子zi單dan層ceng結jie構gou組zu裝zhuang到dao普pu通tong微wei電dian子zi矽gui基ji底di上shang，獲huo得de了le半ban導dao體ti和he有you機ji分fen子zi組zu成cheng的de電dian阻zu。 
　　 
　　據稱，這種技術同樣以矽為基底
，與工業標準互補型金屬氧物半導體晶體管（CMOS）生產技術相兼容，為未來CMOS/分子混合器件電路的製造鋪平了道路，而該混合器件電路將是COMS之後即將出現的全分子技術的基礎或前身。  

　　NIST研究小組首先發現，他們采用新創技術能夠將高質量的有機分子單層組裝到工業CMOS製造中常見的矽切麵上。通過外延光譜分析，研究人員證實了自己的研究成果。  

　　隨後，研究人員利用相同的技術研製出了簡單但具有工作能力的分子電子器件———電阻。他們用碳原子鏈組成單層結構

，每條碳原子鏈的端點與硫原子相係，並將原子鏈放入矽基底上的深度為100納na米mi的de小xiao井jing中zhong，然ran後hou用yong一yi層ceng金jin屬shu銀yin封feng住zhu井jing口kou，同tong時shi井jing上shang端duan形xing成cheng頂ding部bu電dian接jie觸chu點dian。他ta們men表biao示shi

，金jin屬shu銀yin不bu會hui取qu代dai碳tan原yuan子zi鏈lian組zu成cheng的de單dan層ceng結jie構gou，也ye不bu會hui阻zu礙ai單dan層ceng結jie構gou發fa揮hui正zheng常chang功gong能neng。  

　　juxi，yanjiurenyuangongyanzhichulelianggefenzidianziqijian，meigeqijianjuyoubutongchangdudetanyuanzilian。zhengrusuoyuqidenayang，lianggeqijianzaiceshizhongjunchenggongdibiaoxianchuledianzudezuoyong，tongshitanyuanziliangengchangdeqijianqidianzugengda。yanjiurenyuanhaizhengmingtamenxianshilefeixianxingdianzudexingneng。  

　　研究人員表示，他們下步目標是製造一個CMOS/分子混合電路，以證明分子電子原件能夠與當今的微電子技術協調工作。