隨sui著zhe電dian力li電dian子zi器qi件jian產chan業ye日ri益yi受shou到dao國guo家jia重zhong視shi，國guo家jia對dui企qi業ye和he科ke研yan機ji構gou的de扶fu持chi力li度du也ye在zai逐zhu漸jian增zeng大da。我wo國guo電dian力li電dian子zi行xing業ye在zai科ke研yan和he產chan業ye化hua不bu斷duan取qu得de突tu破po的de同tong時shi，也ye麵mian臨lin著zhe諸zhu多duo亟ji待dai克ke服fu的de困kun難nan。 
　電dian力li電dian子zi器qi件jian技ji術shu直zhi接jie關guan係xi到dao變bian流liu技ji術shu的de發fa展zhan與yu進jin步bu，是shi建jian設she節jie約yue型xing社she會hui和he創chuang新xin型xing國guo家jia的de關guan鍵jian技ji術shu。近jin幾ji年nian來lai
，電dian力li電dian子zi器qi件jian技ji術shu水shui平ping不bu斷duan提ti高gao
，應ying用yong領ling域yu日ri益yi廣guang泛fan

，逐zhu漸jian成cheng為wei了le國guo民min經jing濟ji發fa展zhan中zhong基ji礎chu性xing的de支zhi柱zhu型xing產chan業ye之zhi一yi。 
　國家政策支持重點明確 
　隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等技術發展和市場需求的增加
，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求非常緊迫
，而且需求量也非常大。預計國內每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT
、IGBT的總量將達到50萬隻以上。但目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。以IGBT為例，全球IGBT主要供應商集中在英飛淩
、三菱、ABB、富士等少數幾家
，我國隻有少數小功率IGBT的封裝線，還不具備研發、製造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力，因此在技術上受製於人，這對國民經濟的健康發展與國家安全極其不利。 
　為貫徹落實“十一五”高技術產業發展規劃和信息產業發展規劃，全麵落實科學發展觀，推進節能降耗
，促進電力電子技術和產業的發展，根據國家發改委2007年發布的《關於組織實施新型電力電子器件產業化專項有關問題的通知》
，guojiajiangshishidianlidianziqijianchanyezhuanxiang
，tigaoxinxingdianlidianziqijianjishuhegongyishuiping，cujinchanyefazhan，manzushichangxuqiu，yijishujinbuhechanyeshengjituijinjienengjianghao
；推動產、學、研、用相結合
，突破核心基礎器件發展的關鍵技術，完善電力電子產業鏈，促進具有自主知識產權的芯片和技術的推廣應用；培育骨幹企業
，增強企業自主創新能力。支持的重點包括以下方麵：在芯片產業化方麵，主要支持IGBT、金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)
、快恢複二極管(FRD)、功率集成電路(PIC)、IGCT等產品的芯片設計
、製造

、封裝測試和模塊組裝；在模塊產業化方麵
，主要支持電力電子器件係統集成模塊
，智能功率模塊(IPM)和用戶專用功率模塊(ASPM)；在應用裝置產業化方麵，重點圍繞電機節能、照明節能、交通
、電力、冶金等領域需求
，支持應用具有自主知識產權芯片和技術的電力電子裝置。 
　中國企業邁向高端市場 
　在(zai)產(chan)業(ye)政(zheng)策(ce)支(zhi)持(chi)和(he)國(guo)民(min)經(jing)濟(ji)發(fa)展(zhan)的(de)推(tui)動(dong)作(zuo)用(yong)下(xia)，我(wo)國(guo)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)產(chan)業(ye)化(hua)水(shui)平(ping)近(jin)年(nian)來(lai)有(you)很(hen)大(da)的(de)提(ti)升(sheng)。株(zhu)洲(zhou)南(nan)車(che)時(shi)代(dai)電(dian)氣(qi)股(gu)份(fen)有(you)限(xian)公(gong)司(si)一(yi)直(zhi)致(zhi)力(li)於(yu)推(tui)動(dong)我(wo)國(guo)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)產(chan)業(ye)的(de)發(fa)展(zhan)

，具(ju)備(bei)很(hen)強(qiang)的(de)技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)能(neng)力(li)。南(nan)車(che)時(shi)代(dai)電(dian)氣(qi)通(tong)過(guo)自(zi)主(zhu)創(chuang)新(xin)，掌(zhang)握(wo)了(le)具(ju)有(you)自(zi)主(zhu)知(zhi)識(shi)產(chan)權(quan)的(de)全(quan)壓(ya)接(jie)技(ji)術(shu)，基(ji)於(yu)全(quan)壓(ya)接(jie)技(ji)術(shu)開(kai)發(fa)的(de)係(xi)列(lie)高(gao)壓(ya)大(da)功(gong)率(lv)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)入(ru)選(xuan)了(le)國(guo)家(jia)重(zhong)點(dian)新(xin)產(chan)品(pin)。尤(you)其(qi)是(shi)基(ji)於(yu)5英寸全壓接技術，承擔了科技部“十一五”科技支撐計劃——特高壓直流輸電換流閥及6英寸晶閘管研發項目，並成功開發出了6英寸晶閘管。南車時代電氣通過多年來的創新和積累，掌握了IGCT全套設計和製造技術，拉近了與國際先進水平的差距。同時，南車時代電氣立足於IGBT應用技術
，消化吸收國外先進技術
，在大功率IGBT的可靠性研究和試驗等關鍵技術上取得了突破，為IGBT的封裝和芯片研究打下了較好的基礎。 
　國guo內nei電dian力li電dian子zi行xing業ye通tong過guo技ji術shu上shang的de不bu斷duan探tan索suo與yu追zhui求qiu，使shi得de我wo國guo電dian力li電dian子zi技ji術shu水shui平ping在zai不bu斷duan地di與yu國guo際ji水shui平ping接jie近jin，在zai一yi些xie高gao端duan市shi場chang
，已yi經jing占zhan有you一yi席xi之zhi地di。例li如ru西xi安an電dian力li電dian子zi技ji術shu研yan究jiu所suo通tong過guo引yin進jin消xiao化hua技ji術shu，產chan品pin已yi經jing在zai高gao壓ya直zhi流liu輸shu電dian等deng高gao端duan領ling域yu批pi量liang應ying用yong；南車時代電氣近年來也逐步進入了高壓直流輸電、SVC(動態無功補償裝置)等領域。 
　彌補差距仍需創新突破 
　雖sui然ran我wo國guo電dian力li電dian子zi技ji術shu水shui平ping在zai不bu斷duan提ti高gao，但dan國guo內nei企qi業ye與yu國guo際ji大da公gong司si相xiang比bi還hai存cun在zai著zhe較jiao大da的de差cha距ju，尚shang不bu能neng滿man足zu國guo民min經jing濟ji發fa展zhan對dui電dian力li電dian子zi技ji術shu進jin步bu的de要yao求qiu，也ye不bu能neng滿man足zu建jian設she資zi源yuan節jie約yue型xing和he環huan境jing友you好hao型xing社she會hui的de迫po切qie需xu求qiu。因yin此ci，我wo國guo電dian力li電dian子zi企qi業ye仍reng然ran任ren重zhong而er道dao遠yuan。 
　在新型電力電子器件的開發上
，需要探索更加積極有效的模式。在國際上
，IGBT作為一種主流器件，已經發展到了商業化的第五代，而我國隻有少數企業從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成產業規模。而在IGBT芯片的產業化以及大功率IGBT的封裝方麵
，更是一片空白。因此
，探索更加積極、有效的模式，促成電力電子器件企業和微電子器件企業的技術融合、取長補短

，實現IGBT的產業化
，才能填補我國基礎工業中先進電力電子器件的空白，改變技術上受製於人的局麵。 
　zaigaoduanchuantongxingqijiandeguochanhuafangmian，haixuyaojinyibujiakuaijincheng。chuantongxingdedianlidianziqijianzhuyaozhijingzhaguan
，qizaixuduoguanjianlingyurengjuyoubuketidaidezuoyong。youqishisuizhebianliuzhuangzhirongliangdebuduanjiada，duigaoyadadianliudegaoduanchuantongxingqijiandengxuqiujuda
，erwoguojinyoushaoshujijiayoushiqiyetongguozizhuchuangxin，zhangwolegaoduanqijiandezhizaojishu，dabufenqiyehaitingliuzaizhongdiduanqijiandezhizaoshang。 
　在電力電子器件新工藝的研究方麵還需加大研發力度。一代工藝影響一代產品

，電力電子工藝技術精密複雜，我國在低溫鍵合、離子注入
、類金金剛石膜等一些新型的關鍵工藝技術上
，還缺乏係統的創新能力
，必須加速其研發進程。 
　zaichanyehuanenglijianshefangmianxuyaoshangxintaijie。tishengdianlidianzichanyehuanengli
，youliyudazaoxiandaihuahewanzhengdezhuangbeizhizaoyedechanyelian
，shidianlidianzijishuzaijianshechuangxinxing
、節能環保型的和諧社會中發揮更大作用。