三菱電機日前新推出第五代L1係列智能功率模塊
，其將矽片溫度傳感器設置在IGBT矽片正中央處，實現了更加精確迅速的矽片溫度檢測。該係列IPM采用全柵型CSTBTTM矽片技術，具有比L係列IPM更低的損耗以及更加優化的VCE與Eoff折衷曲線。L1係列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級的L1係列IPM與L係列IPM的封裝完全兼容。此外

，L1係列IPM還首次開發了25A/1200V和50A/600V的小封裝產品以滿足客戶節約成本的需求。
   三菱電機早在1992年用IGBT作為功率開關器件集成最早的智能功率模塊。其IPM不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起


，而且還內藏有欠電壓、過電流和過熱等故障檢測電路

，並可將故障檢測信號輸出到控製單元。三菱電機的IPM具有體積小、開關速度快、功耗低
、抗幹擾能力強、無須防靜電措施等優點，大大縮短了客戶項目開發周期。
   三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部長穀口豐聰先生說：“近年來，電力電子技術正朝大容量、高頻化

、模(mo)塊(kuai)化(hua)及(ji)智(zhi)能(neng)化(hua)的(de)方(fang)向(xiang)迅(xun)速(su)發(fa)展(zhan)，以(yi)提(ti)高(gao)裝(zhuang)置(zhi)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)，降(jiang)低(di)噪(zao)音(yin)
，減(jian)小(xiao)能(neng)耗(hao)和(he)原(yuan)材(cai)料(liao)消(xiao)耗(hao)。三(san)菱(ling)電(dian)機(ji)在(zai)這(zhe)種(zhong)趨(qu)勢(shi)下(xia)
，推(tui)出(chu)第(di)五(wu)代(dai)智(zhi)能(neng)功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)L1係列IPM，協助客戶提高產品性能和係統可靠性。”
   三菱電機的IPM以其高可靠性，使用方便贏得越來越大的市場
，尤其適合於電機驅動用的變頻器和伺服驅動器等。
   三菱電機在展會期間，將現場滾動講解各技術方案及其應用。