jucizuxiaoyingfaxianzherongyingbenniandunuobeierwulixuejiang。yingfeilingxianyikaishiliyongzhezhongxiaoyingceliangqichezhuanxiangjiaodu，chengweiquanqiushoujiakaishipiliangshengchanjichengjucizuchuanganqi(iGMR)的半導體供應商。英飛淩的傳感器可異常精確地測量0°到360°的轉向角度
，包含兩個GMR全橋、一個溫度傳感器、兩個模數轉換器、數個穩壓器

、濾波器以及在運行過程中能連續監控這些組件的內部機製。

　　英飛淩傳感器芯片TLE5010具備兩個數字角度分量——正弦函數和餘弦函數。通過SPI接口連接傳感器的8位(wei)微(wei)控(kong)製(zhi)器(qi)利(li)用(yong)這(zhe)些(xie)分(fen)量(liang)計(ji)算(suan)實(shi)際(ji)的(de)角(jiao)度(du)信(xin)號(hao)。傳(chuan)感(gan)器(qi)與(yu)微(wei)控(kong)器(qi)之(zhi)間(jian)采(cai)用(yong)數(shu)字(zi)方(fang)式(shi)傳(chuan)輸(shu)數(shu)據(ju)
，提(ti)高(gao)了(le)抗(kang)幹(gan)擾(rao)性(xing)，此(ci)外(wai)，集(ji)成(cheng)的(de)溫(wen)度(du)傳(chuan)感(gan)器(qi)還(hai)可(ke)起(qi)到(dao)補(bu)償(chang)的(de)作(zuo)用(yong)，確(que)保(bao)在(zai)-40°C至+150°C的溫度範圍內獲得非常精確的轉向角度。

　　GMR效應是由幾納米厚的多層金屬膜的磁場產生的電阻變化導致的。簡單來說，該金屬膜由具備固定的穩定磁化方向(參考方向)的參考層和磁化方向由外部磁場決定(如指南針)的傳感層構成。傳感層和參考層通過僅為幾個原子厚的銅層隔開，從而產生GMR效應。施加的磁場和傳感器參考層之間的角度決定了金屬膜的電阻變化。英飛淩成功地按照所需的精確度將這些層融入半導體標準CMOS製造工藝。

　　英飛淩傳感器銷售高級主管FrankBauche表示：“就高度集成的創新傳感器而言，英飛淩取得了傑出的技術成果。我們通過將GMR效xiao應ying用yong於yu汽qi車che應ying用yong，大da大da提ti高gao了le轉zhuan向xiang精jing度du。目mu前qian，我wo們men正zheng在zai開kai發fa更geng智zhi能neng的de傳chuan感gan器qi，幫bang助zhu改gai善shan汽qi車che的de安an全quan性xing，提ti高gao燃ran油you效xiao率lv和he減jian少shao廢fei氣qi排pai放fang。”