11月29日國際報道很多廠商都設計出了未來的閃存技術，但誰能夠首先推出產品呢？

　　Spansion表示
，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術，這一技術為閃存產業繼續縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。

　　SpansionCEO伯特蘭向CNETNews.com表示，Spansion已經生產出了采用電荷捕獲技術的閃存芯片。Spansion已經啟動了一項營銷活動，希望向其它製造商許可一些技術。

　　伯特蘭說，三星
、東芝、Hynixgongkaibiaoshiduidianhebuhuojishuyouhendadexingqu。womenyongyouzheyijishudeyixiejichuxingzhuanli，zhebushiyizhonghenrongyijiukaifachulaidejishu，womenkaifatayijingyoushunianshijianle。

　　電荷捕獲技術能夠被應用到NOR和NAND閃存芯片中。盡管AMD在2002年就開始生產采用電荷捕獲技術的芯片，其中許多基礎技術都來自以色列的Saifun。

　　如果Spansion能夠在電荷捕獲技術方麵取得成功，這會大大改進其財務狀況。第三季度

，Spansion銷售收入為6.11億美元，虧損了7200萬美元。芯片廠商通常不願意許可技術，尤其是來自競爭對手的技術。

　　NAND專利有非常高的價值，因為消費者電子產品和手機的需求仍然在不斷增長。盡管價格會有波動
，但NAND閃存的產量卻每年都在增長。事實上，許多製造商現在都在升級生產線，它們首先考慮的是滿足NAND需求，過去，許多製造商都在新工廠中生產DRAM或其它芯片。

　　一些NAND芯片廠商在努力使它們的產品打進筆記本電腦和刀片服務器中，取代硬盤。AppliedMaterials的CEO邁克說
，NAND是一種獲得極大成功的應用。[page_break]

　　閃(shan)存(cun)領(ling)域(yu)的(de)大(da)多(duo)數(shu)官(guan)員(yuan)和(he)科(ke)研(yan)人(ren)員(yuan)都(dou)表(biao)示(shi)，閃(shan)存(cun)將(jiang)麵(mian)臨(lin)摩(mo)爾(er)定(ding)律(lv)式(shi)的(de)危(wei)機(ji)。簡(jian)而(er)言(yan)之(zhi)就(jiu)是(shi)，如(ru)果(guo)在(zai)架(jia)構(gou)上(shang)沒(mei)有(you)重(zhong)大(da)突(tu)破(po)，製(zhi)造(zao)商(shang)將(jiang)無(wu)法(fa)繼(ji)續(xu)縮(suo)小(xiao)芯(xin)片(pian)。芯(xin)片(pian)的(de)尺(chi)寸(cun)不(bu)縮(suo)小(xiao)
，製(zhi)造(zao)商(shang)就(jiu)無(wu)法(fa)降(jiang)低(di)成(cheng)本(ben)、提高產品性能。

　　ObjectiveAnalysis總裁吉姆表示，當存儲單元縮小到一定程度時
，傳統閃存就會遭遇真正的問題。在發展到45納米或35納米工藝時，傳統閃存就會遇到極限。閃存芯片將不再能夠使用相同的材料。

　　45納米工藝的閃存芯片將於未來1-2年問世。其它一些非揮發性存儲技術已經遭遇了這一問題，例如MRAM目前隻能縮小到65納米工藝。

　　Spansion麵(mian)臨(lin)的(de)一(yi)個(ge)大(da)問(wen)題(ti)是(shi)獲(huo)得(de)業(ye)界(jie)的(de)認(ren)同(tong)。每(mei)家(jia)廠(chang)商(shang)在(zai)未(wei)來(lai)的(de)存(cun)儲(chu)技(ji)術(shu)方(fang)麵(mian)都(dou)有(you)自(zi)己(ji)的(de)想(xiang)法(fa)，但(dan)是(shi)目(mu)前(qian)，哪(na)種(zhong)技(ji)術(shu)能(neng)夠(gou)勝(sheng)出(chu)的(de)前(qian)景(jing)還(hai)很(hen)不(bu)明(ming)朗(lang)。相(xiang)互(hu)競(jing)爭(zheng)的(de)技(ji)術(shu)包(bao)括(kuo)東(dong)芝(zhi)的(de)3D內存芯片
、Numonyx的相變內存芯片
、Grandis的STT-RAM。

　　伯bo特te蘭lan斷duan言yan，與yu上shang邊bian列lie出chu的de技ji術shu相xiang比bi，電dian荷he捕bu獲huo技ji術shu有you二er個ge重zhong要yao的de優you點dian。一yi是shi人ren們men已yi經jing掌zhang握wo了le製zhi造zao采cai用yong這zhe種zhong技ji術shu芯xin片pian的de方fang法fa，這zhe會hui降jiang低di部bu署shu這zhe種zhong技ji術shu的de風feng險xian；其二
，實驗室的試驗表明，電荷捕獲技術芯片的尺寸能夠繼續縮小。

　　他說，我們在實驗室已經製造出了采用20納米工藝的芯片。如果能夠縮小芯片尺寸，我們的產品就是最便宜的。芯片的尺寸越小
，性能就越高，製造成本也就越低。

　　20納米工藝內存芯片要到2012年或晚些時候才會上市銷售。

　　伯特蘭表示
，與采用相同工藝的其它類型內存相比，電荷捕獲內存單元的尺寸也更小，這會進一步降低成本。他說，電荷捕獲將未來10年的一項重要技術。

　　伯特蘭指出
，到2016年
，相變技術可能是一項重要的技術
，但這還需要10年時間。一些相變技術的支持者表示，相變內存芯片可能在未來數年問世。其實
，早在1970年代，相變技術內存的概念就已經被提出來了。

　　與相變或3D內存相比，電荷捕獲技術更容易部署。一些大公司也表達了對電荷捕獲技術的興趣，但是
，是否必須向Spansion支付費用還是一個問題。