編者語：我wo國guo電dian力li電dian子zi行xing業ye技ji術shu水shui平ping與yu國guo際ji水shui平ping相xiang比bi存cun在zai較jiao大da差cha距ju，尚shang未wei滿man足zu建jian設she資zi源yuan節jie約yue型xing和he環huan境jing友you好hao型xing社she會hui的de迫po切qie需xu求qiu。尤you其qi是shi關guan鍵jian技ji術shu受shou製zhi於yu人ren，已yi成cheng為wei影ying響xiang行xing業ye持chi續xu發fa展zhan的de瓶ping頸jing。

　　近(jin)年(nian)來(lai)，我(wo)國(guo)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)產(chan)業(ye)技(ji)術(shu)水(shui)平(ping)不(bu)斷(duan)提(ti)高(gao)，應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)日(ri)益(yi)廣(guang)泛(fan)，已(yi)逐(zhu)漸(jian)成(cheng)為(wei)國(guo)民(min)經(jing)濟(ji)發(fa)展(zhan)中(zhong)基(ji)礎(chu)性(xing)的(de)支(zhi)柱(zhu)產(chan)業(ye)之(zhi)一(yi)。隨(sui)著(zhe)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)產(chan)業(ye)日(ri)益(yi)受(shou)到(dao)國(guo)家(jia)的(de)重(zhong)視(shi)，國(guo)家(jia)對(dui)其(qi)生(sheng)產(chan)企(qi)業(ye)和(he)科(ke)研(yan)機(ji)構(gou)的(de)扶(fu)持(chi)力(li)度(du)也(ye)在(zai)逐(zhu)步(bu)加(jia)大(da)。然(ran)而(er)

，在(zai)科(ke)研(yan)和(he)產(chan)業(ye)化(hua)不(bu)斷(duan)取(qu)得(de)突(tu)破(po)的(de)同(tong)時(shi)，全(quan)行(xing)業(ye)仍(reng)麵(mian)臨(lin)諸(zhu)多(duo)困(kun)難(nan)

，尤(you)其(qi)是(shi)關(guan)鍵(jian)技(ji)術(shu)受(shou)製(zhi)於(yu)人(ren)，嚴(yan)重(zhong)影(ying)響(xiang)行(xing)業(ye)持(chi)續(xu)發(fa)展(zhan)。

　　得到政策扶持

　　電力電子器件產業直接關係到變流技術的發展與進步，其技術水平成為建設節約型社會和創新型國家的關鍵因素。

　　隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻
、交流傳動機車/動車組
、城市軌道交通等領域技術發展和市場需求的增加，對5英寸及6英寸晶閘管
、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的需求非常緊迫
，而且需求量也非常大。預計國內每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT
、IGBT的總量將達到50萬隻以上。然而目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。

　　以IGBT為例，全球IGBT主要供應商集中在英飛淩、三菱、ABB、富士等少數幾家公司。目前，我國隻有少數小功率IGBT的封裝線，還不具備研發、製造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此，在技術上長期受製於人
，這對國民經濟的健康發展與國家安全極其不利。

　　為貫徹落實“十一五”高技術產業發展規劃和信息產業發展規劃，全麵落實科學發展觀，推進節能降耗，促進電力電子技術和產業的發展

，根據國家發改委《關於組織實施新型電力電子器件產業化專項有關問題的通知》，我國將實施電力電子器件產業專項政策
，提高新型電力電子器件技術和工藝水平。

　　其主要內容包括：促進產業發展，滿足市場需求

，以技術進步和產業升級推進節能降耗
；推動產、學、研
、用相結合，突破核心基礎器件發展的關鍵技術，完善電力電子產業鏈，促進具有自主知識產權的芯片和技術的推廣應用；培育骨幹企業，增強企業自主創新能力。

　　其主要支持的重點領域有：在芯片產業化方麵，主要支持IGBT
、金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）
、快恢複二極管（FRD）
、功率集成電路（PIC）、IGCT等產品的芯片設計
、製造
、封裝測試和模塊組裝。

　　在模塊產業化方麵，主要支持電力電子器件係統集成模塊
，智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）。

　　在應用裝置產業化方麵
，重點圍繞電機節能
、照明節能、交通、電力、冶金等領域需求，支持應用具有自主知識產權芯片和技術的電力電子裝置。

　　仍需突破創新

　　zaichanyezhengcezhichiheguominjingjifazhandetuidongzuoyongxia

，woguodianlidianzichanyehuashuipingjinnianlaiyouhendatigao。tongguojishushangdebuduantansuoyuzhuiqiu
，shiqijishushuipingzhubuyuguojishuipingjiejin，youqishizaiyixiegaoduanshichanglingyuyijingzhanyouyixizhidi。liruxiandianlidianzijishuyanjiusuotongguoyinjinxiaohuajishu
，chanpinyijingzaigaoyazhiliushudiandenggaoduanlingyupiliangyingyong。

　　zhideguanzhudeshi，suiranwoguodianlidianzijishushuipingzaibuduantigao，danguoneiqiyeyuguojidagongsixiangbihaicunzaizhejiaodadechaju，shangbunengmanzuguominjingjifazhanduidianlidianzijishujinbudeyaoqiu，yebunengmanzujiansheziyuanjieyuexinghehuanjingyouhaoxingshehuidepoqiexuyao。jucifenxi
，woguodianlidianzixingyezhuishangguojishuipingrengranrenzhongerdaoyuan。

　　目前，在新型電力電子器件的開發上，需要探索更加積極有效的模式。在國際上，IGBT作為一種主流器件
，已經發展到了商業化的第五代
，而我國隻有少數企業從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成產業規模。我國在IGBT芯片的產業化以及大功率IGBT的封裝領域，技術更是一片空白。因此

，探索更加積極、有效的模式，促成電力電子器件企業和微電子器件企業的技術融合

、取長補短
，實現IGBT的產業化
，才能盡快填補我國基礎工業中先進電力電子器件的空白

，改變技術上受製於人的局麵。

　　tongshi，zaigaoduanchuantongxingqijiandeguochanhuafangmian，haixuyaojinyibujiakuaijincheng。chuantongxingdedianlidianziqijianzhuyaozhijingzhaguan，qizaixuduoguanjianlingyurengjuyoubuketidaidezuoyong，youqishisuizhebianliuzhuangzhirongliangdebuduanjiada，duigaoyadadianliudegaoduanchuantongxingqijiandengchanpindexuqiujuda，erwoguojinyoushaoshujijiayoushiqiyetongguozizhuchuangxinzhangwolegaoduanqijiandezhizaojishu，dabufenqiyehaitingliuzaizhongdiduanqijiandezhizaoshang。

　　congxingyezongtikan，zaidianlidianziqijianxingongyideyanjiufangmianhaixujiadayanfalidu。yidaigongyiyingxiangyidaichanpin，dianlidianzigongyijishujingmifuza
，erguoneishengchanqiyezaidiwenjianhe、離子注入
、類金金剛石膜等新型的關鍵工藝技術上還缺乏係統的創新能力，必須加速其研發進程。

　　yucitongshi，zaichanyehuanenglijianshefangmianhaixuyaoshangxintaijie。dalitishengdianlidianzichanyehuanengli，jiangyouliyudazaoxiandaihuahewanzhengdezhuangbeizhizaoyechanyelian
，congershidianlidianzixingyezaijianshechuangxinxing、節能環保型的和諧社會中發揮更大的作用。