高端電力電子器件依賴進口我國企業需加快突圍
http://kadhoai.com.cn 2026-05-08 02:31:33 來源:互聯網
隨(sui)著(zhe)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)產(chan)業(ye)日(ri)益(yi)受(shou)到(dao)國(guo)家(jia)重(zhong)視(shi),國(guo)家(jia)對(dui)企(qi)業(ye)和(he)科(ke)研(yan)機(ji)構(gou)的(de)扶(fu)持(chi)力(li)度(du)也(ye)在(zai)逐(zhu)漸(jian)增(zeng)大(da)。我(wo)國(guo)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)行(xing)業(ye)在(zai)科(ke)研(yan)和(he)產(chan)業(ye)化(hua)不(bu)斷(duan)取(qu)得(de)突(tu)破(po)的(de)同(tong)時(shi),也(ye)麵(mian)臨(lin)著(zhe)諸(zhu)多(duo)亟(ji)待(dai)克(ke)服(fu)的(de)困(kun)難(nan)。
電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)技(ji)術(shu)直(zhi)接(jie)關(guan)係(xi)到(dao)變(bian)流(liu)技(ji)術(shu)的(de)發(fa)展(zhan)與(yu)進(jin)步(bu),是(shi)建(jian)設(she)節(jie)約(yue)型(xing)社(she)會(hui)和(he)創(chuang)新(xin)型(xing)國(guo)家(jia)的(de)關(guan)鍵(jian)技(ji)術(shu)。近(jin)幾(ji)年(nian)來(lai),電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)技(ji)術(shu)水(shui)平(ping)不(bu)斷(duan)提(ti)高(gao),應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)日(ri)益(yi)廣(guang)泛(fan),逐(zhu)漸(jian)成(cheng)為(wei)了(le)國(guo)民(min)經(jing)濟(ji)發(fa)展(zhan)中(zhong)基(ji)礎(chu)性(xing)的(de)支(zhi)柱(zhu)型(xing)產(chan)業(ye)之(zhi)一(yi)。
國家政策支持重點明確
隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等技術發展和市場需求的增加,對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求非常緊迫,而且需求量也非常大。預計國內每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達到50萬隻以上。但目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。以IGBT為例,全球IGBT主要供應商集中在英飛淩、三菱、ABB、富士等少數幾家,我國隻有少數小功率IGBT的封裝線,還不具備研發、製造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力,因此在技術上受製於人,這對國民經濟的健康發展與國家安全極其不利。
為貫徹落實“十一五”高技術產業發展規劃和信息產業發展規劃,全麵落實科學發展觀,推進節能降耗,促進電力電子技術和產業的發展,根據國家發改委2007年發布的《關於組織實施新型電力電子器件產業化專項有關問題的通知》,國guo家jia將jiang實shi施shi電dian力li電dian子zi器qi件jian產chan業ye專zhuan項xiang,提ti高gao新xin型xing電dian力li電dian子zi器qi件jian技ji術shu和he工gong藝yi水shui平ping,促cu進jin產chan業ye發fa展zhan,滿man足zu市shi場chang需xu求qiu,以yi技ji術shu進jin步bu和he產chan業ye升sheng級ji推tui進jin節jie能neng降jiang耗hao;推動產、學、研、用相結合,突破核心基礎器件發展的關鍵技術,完善電力電子產業鏈,促進具有自主知識產權的芯片和技術的推廣應用;培育骨幹企業,增強企業自主創新能力。支持的重點包括以下方麵:在芯片產業化方麵,主要支持IGBT、金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)、快恢複二極管(FRD)、功率集成電路(PIC)、IGCT等產品的芯片設計、製造、封裝測試和模塊組裝;在模塊產業化方麵,主要支持電力電子器件係統集成模塊,智能功率模塊(IPM)和用戶專用功率模塊(ASPM);在應用裝置產業化方麵,重點圍繞電機節能、照明節能、交通、電力、冶金等領域需求,支持應用具有自主知識產權芯片和技術的電力電子裝置。
中國企業邁向高端市場
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國(guo)內(nei)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)行(xing)業(ye)通(tong)過(guo)技(ji)術(shu)上(shang)的(de)不(bu)斷(duan)探(tan)索(suo)與(yu)追(zhui)求(qiu),使(shi)得(de)我(wo)國(guo)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)技(ji)術(shu)水(shui)平(ping)在(zai)不(bu)斷(duan)地(di)與(yu)國(guo)際(ji)水(shui)平(ping)接(jie)近(jin),在(zai)一(yi)些(xie)高(gao)端(duan)市(shi)場(chang),已(yi)經(jing)占(zhan)有(you)一(yi)席(xi)之(zhi)地(di)。例(li)如(ru)西(xi)安(an)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)技(ji)術(shu)研(yan)究(jiu)所(suo)通(tong)過(guo)引(yin)進(jin)消(xiao)化(hua)技(ji)術(shu),產(chan)品(pin)已(yi)經(jing)在(zai)高(gao)壓(ya)直(zhi)流(liu)輸(shu)電(dian)等(deng)高(gao)端(duan)領(ling)域(yu)批(pi)量(liang)應(ying)用(yong);南車時代電氣近年來也逐步進入了高壓直流輸電、SVC(動態無功補償裝置)等領域。
彌補差距仍需創新突破
suiranwoguodianlidianzijishushuipingzaibuduantigao,danguoneiqiyeyuguojidagongsixiangbihaicunzaizhejiaodadechaju,shangbunengmanzuguominjingjifazhanduidianlidianzijishujinbudeyaoqiu,yebunengmanzujiansheziyuanjieyuexinghehuanjingyouhaoxingshehuidepoqiexuqiu。yinci,woguodianlidianziqiyerengranrenzhongerdaoyuan。
在新型電力電子器件的開發上,需要探索更加積極有效的模式。在國際上,IGBT作為一種主流器件,已經發展到了商業化的第五代,而我國隻有少數企業從事中小功率IGBT的封裝,而且尚未形成產業規模。而在IGBT芯片的產業化以及大功率IGBT的封裝方麵,更是一片空白。因此,探索更加積極、有效的模式,促成電力電子器件企業和微電子器件企業的技術融合、取長補短,實現IGBT的產業化,才能填補我國基礎工業中先進電力電子器件的空白,改變技術上受製於人的局麵。
zaigaoduanchuantongxingqijiandeguochanhuafangmian,haixuyaojinyibujiakuaijincheng。chuantongxingdedianlidianziqijianzhuyaozhijingzhaguan,qizaixuduoguanjianlingyurengjuyoubuketidaidezuoyong。youqishisuizhebianliuzhuangzhirongliangdebuduanjiada,duigaoyadadianliudegaoduanchuantongxingqijiandengxuqiujuda,erwoguojinyoushaoshujijiayoushiqiyetongguozizhuchuangxin,zhangwolegaoduanqijiandezhizaojishu,dabufenqiyehaitingliuzaizhongdiduanqijiandezhizaoshang。
在電力電子器件新工藝的研究方麵還需加大研發力度。一代工藝影響一代產品,電力電子工藝技術精密複雜,我國在低溫鍵合、離子注入、類金金剛石膜等一些新型的關鍵工藝技術上,還缺乏係統的創新能力,必須加速其研發進程。
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