三菱電機株式會社近日（2025年1月14日）宣布，將於2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用於太陽能和其他可再生能源發電係統。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助於降低太陽能發電係統、儲能電池等電源係統中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。
工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊（CM1800DW-24ME）
該模塊將在第39屆電子研發、製造和封裝技術博覽會（NEPCON JAPAN 2025；1月22-24日，東京國際展覽中心）以及北美、歐洲、中國等地的展覽上展出。
近jin年nian來lai，作zuo為wei能neng夠gou降jiang低di碳tan排pai放fang的de關guan鍵jian器qi件jian，功gong率lv半ban導dao體ti的de需xu求qiu正zheng在zai增zeng加jia。功gong率lv半ban導dao體ti模mo塊kuai可ke以yi用yong於yu可ke再zai生sheng能neng源yuan的de功gong率lv轉zhuan換huan設she備bei，比bi如ru太tai陽yang能neng發fa電dian和he儲chu能neng電dian池chi等deng電dian源yuan係xi統tong的de逆ni變bian器qi。為wei了le實shi現xian低di碳tan社she會hui，提ti高gao電dian源yuan係xi統tong的de發fa電dian和he儲chu能neng效xiao率lv以yi及ji降jiang低di係xi統tong功gong耗hao變bian得de日ri益yi重zhong要yao，因yin此ci要yao求qiu功gong率lv半ban導dao體ti模mo塊kuai具ju有you更geng高gao的de轉zhuan換huan效xiao率lv和he輸shu出chu功gong率lv。
三菱電機自1990年推出搭載IGBT的功率半導體模塊以來，在消費、汽車、工業和鐵路領域得到了廣泛應用，以優異的性能和高可靠性受到高度評價。現已開發出的第8代IGBT，具有獨特的分離式柵極溝槽（SDA1）和可以控製載流子的等離子體層（CPL2）結構。
與現有產品3相比，采用第8代IGBT芯片的新型LV100封裝1.2kV模塊可將太陽能發電係統、儲能電池等逆變器的功耗降低約15%4。此外，通過優化IGBT和二極管芯片布局，實現了1800A的額定電流，是上述現有產品的1.5倍，有助於提高逆變器的輸出功率。此外，該模塊的傳統封裝易於並聯連接，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。
隨著對功率半導體需求的增加，三菱電機期待在各個領域降低電力電子設備的能耗，並快速穩定地提供此類產品，以支持綠色轉型（GX）。
產品特點
搭載第8代IGBT，使逆變器功率損耗降低15%
與第7代IGBT相比，獨特的SDA結構有助於抑製dv/dt5，並實現更高的開關速度，有望降低導通開關損耗。
獨特的CPL結構抑製了關斷浪湧電壓，與第7代IGBT相比芯片更薄。
通過將額定電流提高到1800A，有助於提高逆變器的輸出功率
優化的芯片布局實現了1800A的額定電流，是現有產品3的1.5倍。
利用現有的LV100封裝簡化並聯設計
caiyongxianyoufengzhuangjianhualebingliansheji，keyijianrongduozhonggonglvdengjidenibianqisheji。shiyongxianyoufengzhuangjianhualexianyouchanpindetihuan，suoduanlenibianqideshejiguocheng。
